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Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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| Numero più probabile: | IRFH9310TRPBF | MFR: | Infineon |
|---|---|---|---|
| Categoria: | MOSFET | Dimensione: | 5*6*0.95mm |
| Evidenziare: | MOSFET P-CH di alto potere,Pin del MOSFET 8 di alto potere,IRFH9310TRPBF |
||
| UE RoHS | Compiacente |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Stato della parte | Attivo |
| Automobilistico | Nessun |
| PPAP | Nessun |
| Categoria di prodotto | MOSFET di potere |
| Materiale | Si |
| Configurazione | Fonte tripla del singolo scolo del quadrato |
| Tecnologia della trasformazione | HEXFET |
| Modo di Manica | Potenziamento |
| Tipo di Manica | P |
| Numero degli elementi per chip | 1 |
| Tensione massima di fonte dello scolo (v) | 30 |
| Tensione di fonte di portone massima (v) | ±20 |
| Corrente continua massima dello scolo (A) | 21 |
| Resistenza massima di fonte dello scolo (MOhm) | 4.6@10V |
| Tassa tipica @ Vgs (nC) del portone | 58@4.5V|110@10V |
| Tassa tipica @ 10V (nC) del portone | 110 |
| Capacità introdotta tipica @ Vds (PF) | 5250@15V |
| Dissipazione di potere massima (Mw) | 3100 |
| Tempo di caduta tipico (NS) | 70 |
| Tempo di aumento tipico (NS) | 47 |
| Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori (NS) | 65 |
| Tempo di ritardo d'apertura tipico (NS) | 25 |
| Temperatura di funzionamento minima (°C) | -55 |
| Temperatura di funzionamento massima (°C) | 150 |
| Imballaggio | Nastro e bobina |
| Pin Count | 8 |
| Nome del imballaggio di serie | QFN |
| Pacchetto del fornitore | PE DI PQFN |
| Montaggio | Supporto di superficie |
| Altezza del pacchetto | 0,95 (massimo) |
| Lunghezza del pacchetto | 5 |
| Larghezza del pacchetto | 6 |
| Il PWB è cambiato | 8 |
| Forma del cavo | Nessun cavo |
Persona di contatto: peter
Telefono: +8613211027073
