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Casa ProdottiMOSFET di alto potere

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF High Power MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R
IRLML6402TRPBF High Power MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R IRLML6402TRPBF High Power MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 Pin SOT-23 T/R

Grande immagine :  Pin SOT-23 T/R di si 20V 3.7A 3 del MOSFET P-CH di alto potere di IRLML6402TRPBF Miglior prezzo

Dettagli:
Luogo di origine: La CINA
Marca: Infineon
Numero di modello: IRLML6402TRPBF
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: Qty del pacchetto
Prezzo: contact sales for updated price
Imballaggi particolari: nastro e bobina
Tempi di consegna: 2 settimane
Termini di pagamento: T/T
Capacità di alimentazione: 1000+
Descrizione di prodotto dettagliata
Numero più probabile: IRLML6402TRPBF MFR: Infineon
Categoria: MOSFET Dimensione: 1.02*3.04*1.4mm
Evidenziare:

Si 20V del MOSFET di alto potere

,

MOSFET P-CH di alto potere

,

IRLML6402TRPBF

Si 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R del MOSFET P-CH del trasporto di IRLML6402TRPBF Infineon

Caratteristiche tecniche del prodotto

UE RoHS Compiacente
ECCN (US) EAR99
Stato della parte Attivo
Automobilistico Nessun
PPAP Nessun
Categoria di prodotto MOSFET di potere
Materiale Si
Configurazione Singolo
Tecnologia della trasformazione HEXFET
Modo di Manica Potenziamento
Tipo di Manica P
Numero degli elementi per chip 1
Tensione massima di fonte dello scolo (v) 20
Tensione di fonte di portone massima (v) ±12
Tensione massima della soglia del portone (v) 1,2
Temperatura di giunzione di funzionamento (°C) -55 - 150
Corrente continua massima dello scolo (A) 3,7
Corrente massima di perdita di fonte del portone (Na) 100
IDSS massimo (uA) 1
Resistenza massima di fonte dello scolo (MOhm) 65@4.5V
Tassa tipica @ Vgs (nC) del portone 8@5V
Portone tipico per vuotare tassa (nC) 2,8
Portone tipico alla tassa di fonte (nC) 1,2
Tassa inversa tipica di recupero (nC) 11
Capacità introdotta tipica @ Vds (PF) 633@10V
Capacità inversa tipica @ Vds (PF) di trasferimento 110@10V
Tensione minima della soglia del portone (v) 0,4
Capacità di uscita tipica (PF) 145
Dissipazione di potere massima (Mw) 1300
Tempo di caduta tipico (NS) 381
Tempo di aumento tipico (NS) 48
Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori (NS) 588
Tempo di ritardo d'apertura tipico (NS) 350
Temperatura di funzionamento minima (°C) -55
Temperatura di funzionamento massima (°C) 150
Imballaggio Nastro e bobina
Massimi pulsati vuotano la corrente @ TC=25°C (A) 22
Resistenza termica ambientale della giunzione massima sul PWB (°C/W) 100
Tensione tipica del plateau del portone (v) 1,9
Tempo di recupero inverso tipico (NS) 29
Tensione di andata del diodo massimo (v) 1,2
Tensione tipica della soglia del portone (v) 0,55
Tensione di fonte di portone positiva massima (v) 12
Pin Count 3
Nome del imballaggio di serie BEONE
Pacchetto del fornitore SOT-23
Montaggio Supporto di superficie
Altezza del pacchetto 1,02 (massimo)
Lunghezza del pacchetto 3,04 (massimo)
Larghezza del pacchetto 1,4 (massimo)
Il PWB è cambiato 3
Forma del cavo Gabbiano-ala

Dettagli di contatto
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Persona di contatto: peter

Telefono: +8613211027073

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